مجتمع سازی یکپارچه-5185

• عنوان انگلیسی مقاله: Low Thermal Budget Monolithic Integration of Evanescent-Coupled Ge-on-SOI Photodetector on Si CMOS Platform
• عنوان فارسی مقاله: مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری ژرمانیوم-روی-سیلیسیوم با تزویج میرا شونده بر روی پلتفرم نیمه هادی اکسید فلزی تکمیلی سیلیسیومی.
• دسته: برق و الکترونیک
• فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
• تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 24
• دانلود رایگان نسخه انگلیسی
• خرید ترجمه مقاله

چکیده ترجمه

طراحی و ساخت آشکارساز نور ژرمانیوم-روی-سیلیسیوم-روی-عایق (SOI) (منظور آشکارسازی با لایه های به ترتیب ژرمانیوم، سیلیسیوم و عایق بر روی یکدیگر)، با تزویج میرا شونده که بطور یکپارچه مجتمع شده است و مدارات CMOS، بر روی پلات-فرم های (پایگاه های) SOI رایج با استفاده از روش مجتمع سازی ‘نخست-الکترونی و سپس-فوتونی’ ساخته شده است. آشکارساز نور با کارایی بالا، با یک موج بر سیلیسیومی مجتمع شده، بر روی لایه همبافته جذب کننده-ژرمانیوم که بر روی یک لایه SOI بسیار نازک بطور هدفمند رشد داده شده است، نشان داده شده است. معیارهای عملکرد طراحی آشکارساز نور را که پیکربندی های PIN عمودی و جانبی را نمایان می کنند، مورد تحقیق قرار گرفته اند. زمانی که در بایاس -1.0 v کار می کند، یک آشکارساز PIN عمودی دارای جریانIdark کمتر از ∼0.57میکرو آمپر می باشد؛ در حالی که یک آشکارساز PIN جانبی مقداری کمتر از حد بالایی 1 میکروآمپری متناوب که برای گیرنده های-سرعت-بالا قابل قبول است_ دارد. پاسخدهی بسیار سریع ∼0.92 A/W، در هر دو طراحی آشکارساز به ازای طول موج 1550 نانومتر بدست آمده است، که درای بازده کوآنتومی 73% می باشد. اندازه گیری های پاسخ ضربه نشان دادند که آشکارساز PIN عمودی، در نیم-حداکثر ∼24.4 ps در یک آشکارساز PIN جانبی، به یک تمام-عرض کوچک تر افزایش پیدا می کند، که در -3 dB با پهنای باند 11.3 گیگاهرتز انجام می پذیرد. آن طور که پیداست، تاخیر زمان RC، مهم ترین عامل در پایین آوردن عملیت سرعت می باشد. به علاوه اندازه گیری طرح چشم (ترتیب باینری شبه تصادفی 2^7-1)، دستیابی آشکار سازی نوری سرعت-بالا و کم-نویز را در سرعت ذره ای (بیت ریت) 8.5 گیگابایت بر ثانیه تحقیق می کند. همچنین مشخصه های انتقال و خروجی بسیار خوب، با مدارات مجتمع (آی سی ها) اینورتر CMOS، به اضافه عملکرد های درست منطقی، بدست آمده است. معرفی یک بادجت حرارتی اضافی (800 درجه سیلیسیوس) منتج شده از رشد همبافتی ژرمانیوم، اثر زیان آور قابل مشاهده ای کنترل کانال-کوتاه مدار اینورتر CMOS ندارد. ما همچنین، مباحث مربوط به مجتمع سازی یکپارچه را روشن سازی کرده و در مورد پتانسیل گیرنده آشکارساز-Ge/CMOS سلیکونبرای کاربردهای مخابراتی فیبر نوری آینده، بحث خواهیم کرد.

اطلاعات فایل

• فرمت: zip
• حجم: 5.98 مگابایت
• شماره ثبت: 411

مقالات مرتبط

↓-↓

گزارش کارآموزی آزمایشگاه GC (مجتمع پتروشیمی اراک)-3597

قیمت: 68000 ریال موضوع: گزارش کارآموزی آزمایشگاه GC (مجتمع پتروشیمی اراک) فرمت فایل: WORD (قابل ویرایش) فهرست مطالب فصل اول: آشنایی کمی با مجتمع پتروشیمی اراک 1-1 تاریخچه و انگیزه احداث 1-2 اهمیت تولیدات مجتمع 1-3 خوراک مجتمع 1-4 نیروی انسانی 1-5 مصارف تولیدات مجتمع 1-6 موقعیت جغرافیایی 1-7 واحدهای مجتمع 1-8 دستاوردهای مهم مجتمع 1-9 حفظ محیط زیست 1-10 اسکان و امکانات رفاهی 1-11 مجتمع پتروشیمی اراک فصل دوم:...

ترجمه مقاله تقویت کننده شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS-306

عنوان انگلیسی مقاله: A CMOS Inverter-Based Class-AB Pseudo Differential Amplifier for HF Applications عنوان فارسی مقاله: تقویت کننده شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF. دسته: برق و الکترونیک فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش) تعداد صفحات فایل ترجمه شده: ١٣ جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید خرید ترجمه مقاله چکیده ترجمه: این مقاله یک تقویت کننده شبه- تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS...

ترجمه مقاله تعیین مشخصه های اینورتر تراشه هاى نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى غیر-معمولی جدید-1139

عنوان انگلیسی مقاله: Characterization for Novel Non-traditional CMOS Inverter Composed of a Junctionless NMOSFET and a Gated N+-N--P Transistor عنوان فارسی مقاله: تعیین مشخصه های اینورتر تراشه هاى نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده. دسته: برق و الکترونیک فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش) تعداد صفحات فایل ترجمه شده: ٨ جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله...

ترجمه مقاله مدل حرارتی (لیزر حفره-عمودی انتشار-سطحی) بر مبنای معادله سرعت و شبیه سازی-3476

عنوان انگلیسی مقاله: Rate-equation-based VCSEL thermal model and simulation عنوان فارسی مقاله: مدل حرارتی (لیزر حفره-عمودی انتشار-سطحی) بر مبنای معادله سرعت و شبیه سازی. دسته: برق و الکترئنیک فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش) تعداد صفحات فایل ترجمه شده: ١٣ جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید خرید ترجمه مقاله چکیده ترجمه: در این مقاله ما یک مدل حرارتی ساده از مشخصه های جریان-نور (LI) لیزر...